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電阻式熱蒸發鍍膜機
該設備為高真空多用途電阻蒸發鍍膜機,四對電極可單獨或同時蒸發不同的材料。設備為立式頂開蓋結構,四對電極可單獨或共蒸發,樣品Φ300(max),樣品臺公自轉,公轉轉速2-20rpm可調;流量計控制氣體流量,滿足離子轟擊壓力要求。
雙腔室四靶磁控濺射鍍膜機
該設備用于通過磁控濺射法沉積金屬薄膜、陶瓷膜、介質膜等,用戶可以根據工藝的需要選擇單靶獨立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設備由主腔室和預備室兩個真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜,完成用戶主要鍍膜工藝過程。預備室通過高真空插板閥與主腔室相連,可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗,并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。
雙腔室多功能磁控濺射鍍膜機
該設備用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系沉積。可鍍各種硬質膜、金屬膜、合金、化合物、半導體、陶瓷膜、介質復合膜,亦可鍍鐵磁材料。圖示鍍膜機為雙腔室,共用高真空系統;為避免交叉污染,一個腔室可實現電子槍/電阻蒸發鍍膜,另一腔室可實現濺射鍍膜。
通用磁控濺射鍍膜機
磁控濺射鍍膜機是應用最廣泛的PVD沉積設備,可用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系。可鍍各種硬質膜、金屬膜、合金、化合物、半導體、陶瓷膜、介質復合膜和其他化學反應膜,亦可鍍鐵磁材料。該設備主要用于實驗室制備光學膜層,電學,光電膜層及其它功能膜層,以及制備用于生長納米材料的催化劑薄膜層。該設備廣泛應用于大專院校及相關科研機構。
直線式勞埃透鏡鍍制機
直線式勞埃透鏡鍍制機,是為高能同步輻射光源(HEPS)研發的高端儀器裝備,用于制備硬X射線納米聚焦的勞埃透鏡膜層。最主要的特點是膜層層數多(數千層甚至更多)且膜層位置和厚度精度高(總位置平均誤差小于±5nm,每層的厚度誤差小于0.1nm)。為了保證每個膜層的厚度精度,采用磁控濺射技術來實現膜片的制備,其優點是,能夠精確控制膜層厚度,重復性好,薄膜與基片結合緊密,薄膜純度高、致密性好。
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